从显示玻璃到封装基板玻璃 东旭“屏芯协同”战略助力中国半导体产业链突围

随着5G、人工智能、高性能计算等技术的发展，全球半导体产业正迎来新一轮技术变革与产能竞赛。尤其在先进封装领域，传统有机基板已逐渐逼近物理极限，玻璃基板凭借优异平整度、高热稳定性、低信号损耗等特性，成为下一代高密度封装的核心材料，备受行业关注。

近日，国内电子玻璃龙头企业东旭集团宣布，已成功完成首批半导体封装基板玻璃的研制及TGV相关产品的开发，并向下游客户送样。产品覆盖6寸、8寸、12寸晶圆级规格以及510×515mm板级产品，多项关键技术指标达国际一流水平，标志着我国在先进封装材料领域实现重要突破。

技术驱动：封装基板玻璃与TGV技术双突破

封装是芯片制造中不可或缺的环节，直接影响芯片的性能、可靠性和集成度。随着芯片制程工艺逐渐逼近物理极限，通过封装技术提升整体性能已成为行业共识。玻璃基板具有更低热膨胀系数（CTE）、更高机械强度和更优高频传输性能，其在减小温差翘曲、增强抗形变能力和提供可靠结构支撑方面显著优于有机和陶瓷基板。

“玻璃基板尤其适用于高功率、高互联密度的芯片，如AI加速卡、GPU、车载芯片等”某半导体行业分析师表示，“其在散热、信号完整性等方面的优势，是传统材料难以比拟的。”

东旭此次推出的基板玻璃产品，不仅在CTE调控方面实现关键技术突破，还在透过率、折射率等光学指标上达到高水平，具备良好的化学稳定性和热稳定性，适用于TGV（Through Glass Via）等先进互连工艺。

而作为2.5D/3D先进封装的核心，玻璃基TGV（玻璃通孔）技术凭借其颠覆性的性能优势，成为突破芯片性能瓶颈的关键。东旭依托其在电子玻璃领域深厚的技术积淀，向下游延伸，在TGV技术上，破解传统封装瓶颈，实现全方位突破。

独创激光诱导刻蚀打孔技术，配合定制刻蚀液，实现通孔圆度≥95%、孔径≥20μm、深径比10:1，粗糙度控制在1nm以下，孔型可灵活实现X型孔与垂直孔；镀铜环节采用双面垂直电镀技术，实现100%通孔填充，铜层结合力＞5N/cm，种子层连续无断点，确保卓越的电气连接性能。

市场竞争：国际巨头抢先布局，国产替代迎机遇

目前，全球封装玻璃基板市场仍处于起步阶段，但已吸引包括英伟达、英特尔、三星电子等国际厂商积极布局。据悉，英特尔投资十亿美元建设试产线，计划2030年批量生产；英伟达认为玻璃基板可降低近50%功耗，有望成为高端GPU封装方案。

据市场调研机构Yole Development预测，2025年后玻璃基板封装市场将进入高速成长期，预计2029年封装基板市场规模将突破315亿美元，复合增长率超10%，尤其在AI、HPC（高性能计算）等领域有望率先放量。有关数据显示，TGV市场规模将随玻璃基板普及快速扩张，2030年预计达189亿元。

“我们从显示玻璃到封装玻璃，本质上是材料体系与工艺能力的自然延伸，”东旭研究院技术专家表示，“尤其在高温成型、精密调控、缺陷控制等方面，东旭已具备与国际厂商同台竞技的能力。”

战略纵深：从“替代进口”到“定义标准”

东旭早在多年前就已启动“屏芯协同”战略，推动显示玻璃与半导体材料双向赋能。此次封装基板玻璃及TGV等相关产品的成功研制，不仅是技术层面的突破，更标志着东旭从“跟跑”到“并跑”甚至“领跑”的战略转型。

产业链布局上，东旭作为国内电子玻璃领军者，液晶玻璃基板和高端盖板玻璃技术稳居全球前列，拥有“国家科学技术进步奖”“中国专利金奖”等多项荣誉。上下游协同，形成“材料-制造-封装”全链条能力，持续推动TGV技术从研发走向量产。

中国科学院微电子研究所专家评价称：“玻璃基板是半导体封装材料的重要方向，国内企业若能突破关键技术并实现规模化量产，将极大增强我国半导体产业链的自主可控能力。”

东旭方面表示，下一步将继续加大研发投入，推动玻璃基板相关产品的开发及在更多半导体应用场景中落地，同时加强与芯片设计、封装测试等环节的协同创新。从显示玻璃到封装基板玻璃，东旭正以“屏芯协同”战略助力中国半导体产业链突围。

随着AI、自动驾驶、物联网等终端应用对芯片性能要求不断提升，玻璃基板封装技术有望在2026年前后迎来大规模商用。东旭此次突破，不仅为企业自身打开新的增长空间，更为中国半导体材料国产替代注入了强心剂。

从“造屏”到“封芯”，东旭正以材料为支点，推动中国半导体产业走向更深层次的自主创新与标准定义。